Name: SCTWA50N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA50N120-ND
Price: 29.148 EUR
Availability: OutOfStock

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SCTWA50N120
Numéro de produit DigiKey	497-SCTWA50N120-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTWA50N120
Description	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	69mohms à 40A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	122 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1900 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	318W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	HiP247™
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCTWA50

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	24,29000 €	24,29 €
10	19,59800 €	195,98 €
25	18,42640 €	460,66 €
100	17,13850 €	1 713,85 €
250	16,52464 €	4 131,16 €

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.