Name: STB12NM50T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB12NM50T4TR-ND
Price: 5.676 EUR
Availability: OutOfStock

Besoin d'aide?

Commentaires

À propos de DigiKey Marketplace Vendre sur DigiKey.com Emploi Plan du site Solutions numériques Salle de presse

Aide et support Statut de la commande Options/frais d'expédition Retours et problèmes de commande

Chat (+33) 4 43 83 80 90 france.support@digikey.com Co-Browse

STB12NM50T4
Numéro de produit DigiKey	497-STB12NM50T4TR-ND - Bande et bobine 497-STB12NM50T4CT-ND - Bande coupée (CT) 497-STB12NM50T4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB12NM50T4
Description	MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 550 V 12 A (Tc) 160W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB12NM50T4 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	550 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	350mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	160W (Tc)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	STB12N

Prix unitaire sans TVA:	4,73000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,67600 €

STB12NM50T4