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Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
STH110N7F6-2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | STH110N7F6-2-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | STH110N7F6-2 |
Description | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 68 V 80 A (Tc) 176W (Tc) Montage en surface H2PAK-2 |
Modèles EDA/CAO | STH110N7F6-2 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 68 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 6,3mohms à 55A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 5850 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 176W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | H2PAK-2 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Devis du fabricant requis
Ce produit doit faire l'objet d'un devis approuvé par le fabricant avant de pouvoir être commandé. Les commandes doivent respecter la quantité de conditionnement standard du fabricant, elles peuvent être soumises à des délais d'approvisionnement étendus et elles ne sont ni annulables ni retournables. Les devis sont généralement traités dans les 3 à 5 jours ouvrables suivant leur réception.
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