Name: STP18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STP18N60DM2-ND
Price: 1.92 EUR
Availability: OutOfStock

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STP18N60DM2
Numéro de produit DigiKey	497-STP18N60DM2-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STP18N60DM2
Description	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STP18N60DM2 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™ DM2
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	295mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	90W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	STP18

Prix unitaire sans TVA:	1,60000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,92000 €

STP18N60DM2