Name: CSD17570Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-39993-2-ND
Price: 2.388 EUR
Availability: OutOfStock

CSD17570Q5B est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Texas Instruments

En stock: 0

Prix unitaire : 2,76000 €

Similaire

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 2,77000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

CSD17570Q5B
Numéro de produit DigiKey	296-39993-2-ND - Bande et bobine 296-39993-1-ND - Bande coupée (CT) 296-39993-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Texas Instruments
Numéro de produit du fabricant	CSD17570Q5B
Description	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 100 A (Ta) 3,2W (Ta) Montage en surface 8-VSON-CLIP (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CSD17570Q5B Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Texas Instruments
Série	NexFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,69mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,9V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	121 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13600 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-VSON-CLIP (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	CSD17570Q5