2SK3798(STA4,Q,M) Toshiba | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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2SK3798(STA4,Q,M)
Numéro de produit DigiKey	264-2SK3798(STA4QM)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	2SK3798(STA4,Q,M)
Description	POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 4 A (Ta) 40W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	40W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3