Name: HN1B04FE-GR,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN1B04FE-GRLFTR-ND
Price: 0.252 EUR
Availability: OutOfStock

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HN1B04FE-GR,LF
Numéro de produit DigiKey	HN1B04FE-GRLFTR-ND - Bande et bobine HN1B04FE-GRLFCT-ND - Bande coupée (CT) HN1B04FE-GRLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	HN1B04FE-GR,LF
Description	TRANS NPN/PNP 50V 150MA ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 1 NPN, 1 PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	HN1B04FE-GR,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	150mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	250mV à 10mA, 100mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	200 à 2mA, 6V
Puissance - Max.	100mW
Fréquence - Transition	80MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur	ES6
Numéro de produit de base	HN1B04

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