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HN2C01FU-Y(TE85L,F est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
HN2C01FU-Y(TE85L,F | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | HN2C01FU-Y(TE85LFTR-ND - Bande et bobine HN2C01FU-Y(TE85LFCT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | HN2C01FU-Y(TE85L,F |
Description | TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6 |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 2 NPN (double) 50V 150mA 80MHz 200mW Montage en surface US6 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | HN2C01FU-Y(TE85L,F Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de transistor | 2 NPN (double) | |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) | 150mA | |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) | 50V | |
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic | 250mV à 10mA, 100mA | |
Courant - Résiduel de collecteur (max.) | 100 nA (ICBO) | |
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce | 120 à 2mA, 6V | |
Puissance - Max. | 200mW | |
Fréquence - Transition | 80MHz | |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Boîtier fournisseur | US6 | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
France