Name: RN1105MFV,L3F(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1105MFVL3F(TR-ND
Price: 0.168 EUR
Availability: InStock

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RN1105MFV,L3F(CT
Numéro de produit DigiKey	264-RN1105MFVL3F(TR-ND - Bande et bobine 264-RN1105MFVL3F(CT-ND - Bande coupée (CT) 264-RN1105MFVL3F(DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	RN1105MFV,L3F(CT
Description	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 150 mW Montage en surface VESM
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	NPN - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50 V
Résistances incluses	R1 et R2
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms
Résistance - Base d'émetteur (R2)	47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	80 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	300mV à 500µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	500nA
Puissance - Max.	150 mW
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-723
Boîtier fournisseur	VESM
Numéro de produit de base	RN1105

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
8 000	0,02187 €	174,96 €
16 000	0,01963 €	314,08 €
24 000	0,01849 €	443,76 €
40 000	0,01721 €	688,40 €
56 000	0,01644 €	920,64 €
80 000	0,01570 €	1 256,00 €
200 000	0,01408 €	2 816,00 €
400 000	0,01307 €	5 228,00 €