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VESM
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RN1109MFV,L3F

Numéro de produit DigiKey
RN1109MFVL3F-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
RN1109MFV,L3F
Description
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 150 mW Montage en surface VESM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RN1109MFV,L3F Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de transistor
NPN - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50 V
Résistances incluses
R1 et R2
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Résistance - Base d'émetteur (R2)
22 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
70 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 500µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max.
150 mW
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
SOT-723
Boîtier fournisseur
VESM
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Devis du fabricant requis
Ce produit doit faire l'objet d'un devis approuvé par le fabricant avant de pouvoir être commandé. Les commandes doivent respecter la quantité de conditionnement standard du fabricant, elles peuvent être soumises à des délais d'approvisionnement étendus et elles ne sont ni annulables ni retournables. Les devis sont généralement traités dans les 3 à 5 jours ouvrables suivant leur réception.
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