Name: RN1902FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1902FELF(CTTR-ND
Price: 0.216 EUR
Availability: OutOfStock

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RN1902FE,LF(CT
Numéro de produit DigiKey	RN1902FELF(CTTR-ND - Bande et bobine RN1902FELF(CTCT-ND - Bande coupée (CT) RN1902FELF(CTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	RN1902FE,LF(CT
Description	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 2 NPN - Prépolarisé (double) 50V 100mA 250MHz 100mW Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RN1902FE,LF(CT Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires, prépolarisés
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	2 NPN - Prépolarisé (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50V
Résistance - Base (R1)	10kohms
Résistance - Base d'émetteur (R2)	1kohms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	30 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max.	100mW
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur	ES6
Numéro de produit de base	RN1902

Prix unitaire sans TVA:	0,18000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,21600 €

RN1902FE,LF(CT