Name: RN2312(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2312(TE85LF)TR-ND
Price: 0.252 EUR
Availability: OutOfStock

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RN2312(TE85L,F)
Numéro de produit DigiKey	RN2312(TE85LF)TR-ND - Bande et bobine RN2312(TE85LF)CT-ND - Bande coupée (CT) RN2312(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	RN2312(TE85L,F)
Description	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés PNP - Prépolarisé 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Montage en surface SC-70
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RN2312(TE85L,F) Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	PNP - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50 V
Résistances incluses	R1 uniquement
Résistance - Base (R1)	22 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	120 à 1mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200 MHz
Puissance - Max.	100 mW
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SC-70, SOT-323
Boîtier fournisseur	SC-70
Numéro de produit de base	RN2312

Prix unitaire sans TVA:	0,21000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,25200 €

RN2312(TE85L,F)