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SSM3K116TU,LF
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SSM3J120TU,LF

Numéro de produit DigiKey
SSM3J120TULFTR-ND - Bande et bobine
SSM3J120TULFCT-ND - Bande coupée (CT)
SSM3J120TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
SSM3J120TU,LF
Description
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SSM3J120TU,LF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
U-MOSIV
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs
38mohms à 3A, 4V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22.3 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1484 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
UFM
Boîtier
3-SMD, broches plates
Numéro de produit de base
SSM3J120
Product Questions and Answers

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Devis du fabricant requis
Ce produit doit faire l'objet d'un devis approuvé par le fabricant avant de pouvoir être commandé. Les commandes doivent respecter la quantité de conditionnement standard du fabricant, elles peuvent être soumises à des délais d'approvisionnement étendus et elles ne sont ni annulables ni retournables. Les devis sont généralement traités dans les 3 à 5 jours ouvrables suivant leur réception.
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