Name: SSM3K376R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K376RLXHFTR-ND
Price: 0.432 EUR
Availability: OutOfStock

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SSM3K376R,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3K376RLXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3K376RLXHFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM3K376RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3K376R,LXHF
Description	SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 4 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SOT-23F
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	56mohms à 2 A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	+12V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	200 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23F
Boîtier	SOT-23-3 broches plates