Name: SSM6K361NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K361NULFTR-ND
Price: 0.576 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM6K361NU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6K361NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6K361NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6K361NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6K361NU,LF
Description	MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,5 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface 6-UDFNB (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6K361NU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	69mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	430 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,25W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-UDFNB (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Numéro de produit de base	SSM6K361