Name: SSM6N57NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N57NULFTR-ND
Price: 0.624 EUR
Availability: InStock

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SSM6N57NU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6N57NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6N57NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N57NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N57NU,LF
Description	MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4A 1W Montage en surface 6-µDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N57NU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4A
Rds On (max.) à Id, Vgs	46mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	310pF à 10V
Puissance - Max.	1W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	6-µDFN (2x2)
Numéro de produit de base	SSM6N57

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Quantité

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Bande et bobine