Name: SSM6N61NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6N61NU,LFTR-ND
Price: 0.72 EUR
Availability: OutOfStock

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SSM6N61NU,LF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM6N61NU,LFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM6N61NU,LFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM6N61NU,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N61NU,LF
Description	MOSFET 2N-CH 20V 4A 6UDFNB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 4A 2W Montage en surface 6-UDFNB (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N61NU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique, attaque 1,5V
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4A
Rds On (max.) à Id, Vgs	33mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3,6nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	410pF à 10V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	6-UDFNB (2x2)
Numéro de produit de base	SSM6N61

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