Name: SSM6N7002CFU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N7002CFULFTR-ND
Price: 0.156 EUR
Availability: InStock

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SSM6N7002CFU,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6N7002CFULFTR-ND - Bande et bobine SSM6N7002CFULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N7002CFULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N7002CFU,LF
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 170mA 285mW Montage en surface US6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N7002CFU,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	170mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,9ohms à 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0,35nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	17pF à 10V
Puissance - Max.	285mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	US6
Numéro de produit de base	SSM6N7002

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Quantité

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Bande et bobine