
SSM6N815R,LF | |
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Numéro de produit DigiKey | SSM6N815RLFTR-ND - Bande et bobine SSM6N815RLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N815RLFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SSM6N815R,LF |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 2 A (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface 6-TSOP-F |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SSM6N815R,LF Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique, attaque 4V | |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 2 A (Ta) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 103mohms à 2A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 100µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 3,1nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 290pF à 15V | |
Puissance - Max. | 1,8W (Ta) | |
Température de fonctionnement | 150°C | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 6-SMD, sorties plates | |
Boîtier fournisseur | 6-TSOP-F | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,54000 € | 0,54 € |
10 | 0,36600 € | 3,66 € |
100 | 0,23850 € | 23,85 € |
500 | 0,18112 € | 90,56 € |
1 000 | 0,16264 € | 162,64 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,13496 € | 404,88 € |
6 000 | 0,12347 € | 740,82 € |
9 000 | 0,11761 € | 1 058,49 € |
15 000 | 0,11184 € | 1 677,60 € |
21 000 | 0,10419 € | 2 187,99 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,54000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 0,64800 € |