Name: T2N7002AK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002AKLMTR-ND
Price: 0.132 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

T2N7002AK,LM
Numéro de produit DigiKey	T2N7002AKLMTR-ND - Bande et bobine T2N7002AKLMCT-ND - Bande coupée (CT) T2N7002AKLMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	T2N7002AK,LM
Description	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	T2N7002AK,LM Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVII-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,9ohms à 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	17 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	320mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	T2N7002

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 95

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande et bobine