Name: TJ200F04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND
Price: 3.684 EUR
Availability: OutOfStock

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TJ200F04M3L,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND - Bande et bobine 264-TJ200F04M3LLXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TJ200F04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TJ200F04M3L,LXHQ
Description	MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Montage en surface TO-220SM(W)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,8mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	460 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1280 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-220SM(W)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	TJ200F04