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TK10A60W,S4X

Numéro de produit DigiKey
TK10A60WS4X-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK10A60W,S4X
Description
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
17 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 9,7 A (Ta) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK10A60W,S4X Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 4,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,7V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
720 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220SIS
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
TK10A60
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5001,25673 €3 141,82 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:1,25673 €
Prix unitaire avec TVA:1,50808 €