Name: TK11A65W,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK11A65WS5X-ND
Price: 2.076 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK11A65W,S5X
Numéro de produit DigiKey	TK11A65WS5X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK11A65W,S5X
Description	MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11,1 A (Ta) 35W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK11A65W,S5X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	390mohms à 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 450µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	890 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK11A65

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,73000 €	1,73 €
50	0,83520 €	41,76 €
100	0,75370 €	75,37 €
500	0,59508 €	297,54 €
1 000	0,53131 €	531,31 €
2 000	0,50451 €	1 009,02 €
5 000	0,47476 €	2 373,80 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.