Name: TK13E25D,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK13E25DS1X(S-ND
Price: 3.552 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK13E25D,S1X(S
Numéro de produit DigiKey	TK13E25DS1X(S-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK13E25D,S1X(S
Description	MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 13 A (Ta) 102W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK13E25D,S1X(S Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	250mohms à 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	102W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK13E25

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,96000 €	2,96 €
50	1,49060 €	74,53 €
100	1,34820 €	134,82 €
500	1,09898 €	549,49 €
1 000	1,01890 €	1 018,90 €
2 000	0,98927 €	1 978,54 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.