Name: TK14E65W5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14E65W5S1X-ND
Price: 4.704 EUR
Availability: OutOfStock

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Équivalent paramétrique

TK14N65W5,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Fiche technique

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TK14E65W5,S1X
Numéro de produit DigiKey	TK14E65W5S1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK14E65W5,S1X
Description	MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK14E65W5,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	300mohms à 6,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 690µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1300 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	130W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK14E65

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,92000 €	3,92 €
50	2,02540 €	101,27 €
100	1,84210 €	184,21 €
500	1,52086 €	760,43 €
1 000	1,44899 €	1 448,99 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.