Name: TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16G60WRVQTR-ND
Price: 8.208 EUR
Availability: OutOfStock

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TK16G60W,RVQ
Numéro de produit DigiKey	TK16G60WRVQTR-ND - Bande et bobine TK16G60WRVQCT-ND - Bande coupée (CT) TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK16G60W,RVQ
Description	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK16G60W,RVQ Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	190mohms à 7,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 790µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1350 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	130W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	TK16G60

Prix unitaire sans TVA:	6,84000 €
Prix unitaire avec TVA:	8,20800 €

TK16G60W,RVQ