Name: TK17E65W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17E65WS1X-ND
Price: 4.932 EUR
Availability: OutOfStock

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TK17E65W,S1X
Numéro de produit DigiKey	TK17E65WS1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK17E65W,S1X
Description	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK17E65W,S1X Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 8,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1800 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	165W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK17E65

Prix unitaire sans TVA:	4,11000 €
Prix unitaire avec TVA:	4,93200 €

TK17E65W,S1X