Name: TK18A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK18A50D(STA4QM)-ND
Price: 4.236 EUR
Availability: OutOfStock

TK18A50D(STA4,Q,M) est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

AOTF22N50

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

En stock: 0

Prix unitaire : 1,13536 €

Fiche technique

Similaire

FDPF18N50

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 2,61000 €

Fiche technique

Similaire

FDPF18N50T

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 3,52000 €

Fiche technique

Similaire

FDPF20N50FT

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 3,68000 €

Fiche technique

Similaire

FDPF20N50T

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 3,57000 €

Fiche technique

Similaire

IPA50R250CPXKSA1

Rochester Electronics, LLC

En stock: 2 539

Prix unitaire : 1,36712 €

Fiche technique

Similaire

STF19NM50N

STMicroelectronics

En stock: 0

Prix unitaire : 4,54000 €

Fiche technique

Afficher et comparer tous les substituts

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TK18A50D(STA4,Q,M)
Numéro de produit DigiKey	TK18A50D(STA4QM)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK18A50D(STA4,Q,M)
Description	MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 18 A (Ta) 50W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	270mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2600 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK18A50

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 en stock

Vérifier le délai d'approvisionnement

Demande de notification de stock

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,53000 €	3,53 €
50	2,17260 €	108,63 €
100	1,63900 €	163,90 €
500	1,43846 €	719,23 €
1 000	1,35769 €	1 357,69 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.