TK20E60W,S1VX est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 6,48000 €
Fiche technique

Similaire

AOT25S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 1,66167 €
Fiche technique

Similaire

FCP16N60N
onsemi
En stock: 7
Prix unitaire : 6,74000 €
Fiche technique

Similaire

FCP190N60-GF102
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire

FCP190N60E
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 3,62000 €
Fiche technique

Similaire

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 3,27000 €
Fiche technique

Similaire

IXFP18N65X2
Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 5,16000 €
Fiche technique

Similaire

IXFP22N65X2
Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 4,82000 €
Fiche technique

Similaire

IXKP24N60C5
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 4,19560 €

Similaire

IXTP20N65X2
Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 4,47000 €
Fiche technique

Similaire

IXTP24N65X2
Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 5,83000 €
Fiche technique

Similaire

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 3,08000 €
Fiche technique

Similaire

STP24N60DM2
STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 3,02000 €
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
TO-220-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TK20E60W,S1VX

Numéro de produit DigiKey
264-TK20E60W,S1VX-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK20E60W,S1VX
Description
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 20 A (Ta) 165W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK20E60W,S1VX Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
155mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,7V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1680 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
TK20E60
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 en stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,54000 €5,54 €
503,81480 €190,74 €
1002,95380 €295,38 €
5002,58114 €1 290,57 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:5,54000 €
Prix unitaire avec TVA:6,64800 €