Name: TK25E60X5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK25E60X5,S1X-ND
Price: 6 EUR
Availability: OutOfStock

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TK25N60X5,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Fiche technique

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TK25E60X5,S1X
Numéro de produit DigiKey	264-TK25E60X5,S1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK25E60X5,S1X
Description	MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 25 A (Ta) 180W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK25E60X5,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	140mohms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2400 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	180W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK25E60

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,00000 €	5,00 €
50	2,85140 €	142,57 €
100	2,60890 €	260,89 €
500	2,20518 €	1 102,59 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.