Name: TK30A06N1,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK30A06N1S4X-ND
Price: 1.26 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK30A06N1,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK30A06N1S4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK30A06N1,S4X
Description	MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 30 A (Tc) 25W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK30A06N1,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	15mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1050 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK30A06

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,05000 €	1,05 €
50	0,60420 €	30,21 €
100	0,53840 €	53,84 €
500	0,42252 €	211,26 €
1 000	0,38525 €	385,25 €
2 000	0,35390 €	707,80 €
5 000	0,31997 €	1 599,85 €
10 000	0,31257 €	3 125,70 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.