Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 6.732 EUR
Availability: InStock

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TK31V60X,LQ
Numéro de produit DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Bande et bobine TK31V60XLQCT-ND - Bande coupée (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK31V60X,LQ
Description	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 30,8 A (Ta) 240W (Tc) Montage en surface 4-DFN-EP (8x8)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK31V60X,LQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	98mohms à 9,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3000 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	240W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-DFN-EP (8x8)
Boîtier	4-VSFN plot exposé
Numéro de produit de base	TK31V60