Name: TK39J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39J60W5S1VQ-ND
Price: 12.372 EUR
Availability: OutOfStock

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TK39J60W5,S1VQ
Numéro de produit DigiKey	TK39J60W5S1VQ-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK39J60W5,S1VQ
Description	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 38,8 A (Ta) 270W (Tc) Trou traversant TO-3P(N)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK39J60W5,S1VQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	38,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 19,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 1,9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4100 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	270W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3P(N)
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base	TK39J60

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	10,31000 €	10,31 €
25	6,35520 €	158,88 €
100	5,41460 €	541,46 €
500	5,22240 €	2 611,20 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.