Name: TK39N60W,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39N60WS1VF-ND
Price: 7.14 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK39N60W,S1VF
Numéro de produit DigiKey	TK39N60WS1VF-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK39N60W,S1VF
Description	MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 38,8 A (Ta) 270W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK39N60W,S1VF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	38,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 19,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 1,9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4100 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	270W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	TK39N60

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,95000 €	5,95 €
30	4,01700 €	120,51 €
120	2,97525 €	357,03 €
510	2,64665 €	1 349,79 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.