Name: TK3A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3A65D(STA4QM)-ND
Price: 2.004 EUR
Availability: OutOfStock

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TK3A65D(STA4,Q,M)
Numéro de produit DigiKey	TK3A65D(STA4QM)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3A65D(STA4,Q,M)
Description	MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 3 A (Ta) 35W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,25ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	540 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK3A65

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,67000 €	1,67 €
50	1,01900 €	50,95 €
100	0,83030 €	83,03 €
500	0,61764 €	308,82 €
1 000	0,54563 €	545,63 €
2 000	0,52688 €	1 053,76 €
5 000	0,49947 €	2 497,35 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.