Name: TK3A90E,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3A90ES4X-ND
Price: 2.076 EUR
Availability: OutOfStock

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TK3A90E,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK3A90ES4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3A90E,S4X
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 2,5 A (Ta) 35W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,6ohms à 1,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	650 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,73000 €	1,73 €
50	0,95160 €	47,58 €
100	0,78740 €	78,74 €
500	0,59398 €	296,99 €
1 000	0,53041 €	530,41 €
2 000	0,50354 €	1 007,08 €
5 000	0,47369 €	2 368,45 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.