TK5A80E,S4X
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TK430A60F,S4X(S

Numéro de produit DigiKey
264-TK430A60FS4X(S-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK430A60F,S4X(S
Description
MOSFET N-CH
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 13 A (Ta) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
U-MOSIX
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
430mohms à 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1,75mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1940 pF @ 300 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220SIS
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Product Questions and Answers

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Devis du fabricant requis
Ce produit doit faire l'objet d'un devis approuvé par le fabricant avant de pouvoir être commandé. Les commandes doivent respecter la quantité de conditionnement standard du fabricant, elles peuvent être soumises à des délais d'approvisionnement étendus et elles ne sont ni annulables ni retournables. Les devis sont généralement traités dans les 3 à 5 jours ouvrables suivant leur réception.
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