Name: TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R4P06PLRQTR-ND
Price: 1.176 EUR
Availability: OutOfStock

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En stock: 2 297

Prix unitaire : 1,77000 €

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TK4R4P06PL,RQ
Numéro de produit DigiKey	TK4R4P06PLRQTR-ND - Bande et bobine TK4R4P06PLRQCT-ND - Bande coupée (CT) TK4R4P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK4R4P06PL,RQ
Description	MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 58 A (Tc) 87W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK4R4P06PL,RQ Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	58 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,4mohms à 29A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	48.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3280 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	87W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	TK4R4P06