Name: TK560P60Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK560P60YRQTR-ND
Price: 2.424 EUR
Availability: OutOfStock

Besoin d'aide?

Commentaires

À propos de DigiKey Marketplace Vendre sur DigiKey.com Emploi Plan du site Solutions numériques Salle de presse

Aide et support Statut de la commande Options/frais d'expédition Retours et problèmes de commande

Chat (+33) 4 43 83 80 90 france.support@digikey.com Co-Browse

TK560P60Y,RQ
Numéro de produit DigiKey	TK560P60YRQTR-ND - Bande et bobine TK560P60YRQCT-ND - Bande coupée (CT) TK560P60YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK560P60Y,RQ
Description	MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 7 A (Tc) 60W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK560P60Y,RQ Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	560mohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 240µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	380 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	TK560P60

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 000	0,58369 €	1 167,38 €
4 000	0,56284 €	2 251,36 €

Prix unitaire sans TVA:	2,02000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,42400 €

TK560P60Y,RQ