Name: TK58E06N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK58E06N1S1X-ND
Price: 2.352 EUR
Availability: OutOfStock

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TK58E06N1,S1X
Numéro de produit DigiKey	TK58E06N1S1X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK58E06N1,S1X
Description	MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 58 A (Ta) 110W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK58E06N1,S1X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVIII-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	58 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,4mohms à 29A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3400 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	TK58E06

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,96000 €	1,96 €
50	1,08640 €	54,32 €
100	0,86740 €	86,74 €
500	0,68618 €	343,09 €
1 000	0,61449 €	614,49 €
2 000	0,58465 €	1 169,30 €
5 000	0,56392 €	2 819,60 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.