Name: TK7A90E,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7A90ES4X-ND
Price: 2.832 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK7A90E,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK7A90ES4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK7A90E,S4X
Description	MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 7 A (Ta) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK7A90E,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVIII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2ohms à 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK7A90

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,36000 €	2,36 €
50	1,37260 €	68,63 €
100	1,12000 €	112,00 €
500	0,85030 €	425,15 €
1 000	0,76544 €	765,44 €
2 000	0,72987 €	1 459,74 €
5 000	0,72933 €	3 646,65 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.