Name: TK8A55DA(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8A55DA(STA4QM)-ND
Price: 2.508 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK8A55DA(STA4,Q,M)
Numéro de produit DigiKey	TK8A55DA(STA4QM)-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK8A55DA(STA4,Q,M)
Description	MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 550 V 7,5 A (Ta) 40W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK8A55DA(STA4,Q,M) Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	π-MOSVII
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	550 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,07ohms à 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	40W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK8A55

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,09000 €	2,09 €
50	1,02200 €	51,10 €
100	0,91850 €	91,85 €
500	0,73686 €	368,43 €
1 000	0,67849 €	678,49 €
2 000	0,62940 €	1 258,80 €
5 000	0,61440 €	3 072,00 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.