Name: TK8A60W5,S5VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8A60W5S5VX-ND
Price: 2.484 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK8A60W5,S5VX
Numéro de produit DigiKey	TK8A60W5S5VX-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK8A60W5,S5VX
Description	MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 8 A (Ta) 30W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK8A60W5,S5VX Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	DTMOSIV
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	540mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 400µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	590 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK8A60

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,07000 €	2,07 €
50	1,17900 €	58,95 €
100	0,93470 €	93,47 €
500	0,73044 €	365,22 €
1 000	0,65472 €	654,72 €
2 000	0,62370 €	1 247,40 €
5 000	0,60795 €	3 039,75 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.