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TK8A65D(STA4,Q,M)

Numéro de produit DigiKey
TK8A65D(STA4QM)-ND
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TK8A65D(STA4,Q,M)
Description
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
32 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 8 A (Ta) 45W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TK8A65D(STA4,Q,M) Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
π-MOSVII
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
840mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1350 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220SIS
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
TK8A65
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Quantité
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12,39000 €2,39 €
501,55800 €77,90 €
1001,10440 €110,44 €
5000,94260 €471,30 €
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2 0000,83138 €1 662,76 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:2,39000 €
Prix unitaire avec TVA:2,86800 €