Name: TK8R2A06PL,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8R2A06PLS4X-ND
Price: 1.572 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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TK8R2A06PL,S4X
Numéro de produit DigiKey	TK8R2A06PLS4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK8R2A06PL,S4X
Description	MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 50 A (Tc) 36W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK8R2A06PL,S4X Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSIX-H
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,4mohms à 8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1990 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	36W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220SIS
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	TK8R2A06

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,31000 €	1,31 €
50	0,72280 €	36,14 €
100	0,64580 €	64,58 €
500	0,53366 €	266,83 €
1 000	0,46720 €	467,20 €
2 000	0,43063 €	861,26 €
5 000	0,39420 €	1 971,00 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.