Name: TPC8129,LQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPC8129,LQ(STR-ND
Price: 0.792 EUR
Availability: OutOfStock

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TPC8129,LQ(S
Numéro de produit DigiKey	264-TPC8129,LQ(STR-ND - Bande et bobine 264-TPC8129,LQ(SCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPC8129,LQ(SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPC8129,LQ(S
Description	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 9 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPC8129,LQ(S Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+20V, -25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1650 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	TPC8129

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