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TPC8408,LQ(S est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TPC8408,LQ(S | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 264-TPC8408LQ(STR-ND - Bande et bobine 264-TPC8408LQ(SCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TPC8408LQ(SDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TPC8408,LQ(S |
Description | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 6,1 A, 5,3 A 450mW Montage en surface 8-SOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | TPC8408,LQ(S Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6,1 A, 5,3 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 32mohms à 3,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,3V à 100µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 24nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 850pF à 10V | |
Puissance - Max. | 450mW | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOP | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
France