TPN1200APL,L1Q est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
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Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Prix unitaire : 1,06000 €
Fiche technique
8-PowerVDFN PKG
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TPN1200APL,L1Q

Numéro de produit DigiKey
264-TPN1200APLL1QTR-ND - Bande et bobine
264-TPN1200APLL1QCT-ND - Bande coupée (CT)
264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
TPN1200APL,L1Q
Description
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
11,5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1855 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-TSON Advance (3,1x3,1)
Boîtier
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Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
11,06000 €1,06 €
100,65100 €6,51 €
1000,42680 €42,68 €
5000,34220 €171,10 €
1 0000,29532 €295,32 €
2 0000,28419 €568,38 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
5 0000,24782 €1 239,10 €
10 0000,23201 €2 320,10 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,06000 €
Prix unitaire avec TVA:1,27200 €