Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 1.248 EUR
Availability: OutOfStock

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TPN4R712MD,L1Q
Numéro de produit DigiKey	TPN4R712MDL1QTR-ND - Bande et bobine TPN4R712MDL1QCT-ND - Bande coupée (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TPN4R712MD,L1Q
Description	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 36 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TPN4R712MD,L1Q Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,7mohms à 18A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4300 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	42W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	TPN4R712