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TPHR8504PL,L1Q
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TPN6R303NC,LQ

Numéro de produit DigiKey
TPN6R303NCLQTR-ND - Bande et bobine
TPN6R303NCLQCT-ND - Bande coupée (CT)
TPN6R303NCLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant
TPN6R303NC,LQ
Description
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 20 A (Ta) 700mW (Ta), 19W (Tc) Montage en surface 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TPN6R303NC,LQ Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
U-MOSVIII
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,3mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1370 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta), 19W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-TSON Advance (3,1x3,1)
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPN6R303
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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
11,36000 €1,36 €
100,85700 €8,57 €
1000,57130 €57,13 €
5000,44894 €224,47 €
1 0000,40956 €409,56 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,34877 €1 046,31 €
6 0000,32439 €1 946,34 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,36000 €
Prix unitaire avec TVA:1,63200 €